厂房实景
半导体生产废气、电子厂废气的形成
半导体生产制造过程可以分为3个阶段：晶体材料生产阶段、各种型号晶片制造阶段和组装阶段，其中污染轻的组装阶段仅涉及组装工艺，污染较为严重的是晶片制造阶段。
清洗工艺为保留芯片表面特性，采用化学溶液有效的清除半导体硅片表面的灰尘、残留有机物和吸附在表面的各种离子，主要产生各类废气及废液。晶圆键合以有无中间过渡层可分为直接键合和中间层键合，而直接键合方式具有键合强度高的优势，是目前应用的主流，键合工序污染较小仅产生废水。
氧化是在高温惰性环境下，通入氧气或含氧水汽，将硅片表面的硅氧化生长氧化层，过程一般是将作为原料的硅晶圆片放入洁净的石英炉管中，主要产生工艺废气。光刻是芯片制造的核心工艺，包括涂胶、曝光、显影3个步骤。涂胶工艺是掺杂的过程主要采用离子注入技术进行掺杂，以改变所使用的材料的电学性质，在电子喷淋装置中，用氙气产生的等离子体中和硅片表面的正电荷，主要产生工艺废气。
在硅片的表面通过硅片高速旋转从而使其表面均匀地涂上光刻胶；曝光工艺为使用光刻机，并使用光掩膜版对已涂胶的硅片进行光照，；显影工艺为去除曝光后硅片上的光刻胶，这些过程产生污染较大，产生废气、废水、固体废物。刻蚀技术主要分为两大类：液态的湿法刻蚀和气态的干法刻蚀。干法刻蚀：干法刻蚀也是一种去除光刻胶未覆盖区域的薄膜的主要产生工艺废气。
半导体生产废气、电子厂废气特性
半导体工业在加工的过程中会使用到光刻胶、蚀刻液、清洗剂、显影剂等溶剂，而这些溶剂是含有大量的有机物成分，排放出来的废气含有HCl、氨、HF等危险污染物，而主要处理的是具有挥发性的VOCs。
温馨提示：VOCs污染物为有机化合物，在浓度较高且有火花或静电情况下，极易发生闪爆现象。
半导体在制造过程中一般的污染源包括颗粒污染物、金属离子和化学物质等，而这些都是属于有害的污染物。
VOC废气处理可使用如下工艺设备
1. UV光解催化氧化法、低温等离子法、活性炭净化法、混合处理法
2. 催化燃烧处理法（CO）
3. 蓄热式催化燃烧法（RCO）
4. 沸石转轮+CO/沸石转轮+TO/沸石转轮+RCO/沸石转轮+RTO
